士蘭明鎵首個SiC器件芯片已投片成功
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    士蘭明鎵首個SiC器件芯片已投片成功

    2022-10-25 來源:產業在線ChinaIOL整理

           士蘭微公告,近期,廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司SiC功率器件生產線已實現初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產品各項參數指標達到設計要求,項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試,目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。

      公告顯示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發,性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上,參數指標較好,繼續完成評測,即將向客戶送樣。

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    關鍵詞:半導體  MCU   編輯:OYH
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